| 发明名称 | 具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法，由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数变小，并且平均等效原子电荷数变大，因而压电性比掺杂前明显提高，而Cu、Ni二价离子3d层的空能态还能俘获薄膜中的自由电子，因此具有提高薄膜电阻率的效果。经过掺杂改性后的ZnO薄膜在常温下表现出优异的压电特性和高的电阻率：d<sub>33</sub>(d<sub>33</sub>＞14pC/N)和高的电阻率(ρ＞10<sup>10</sup>Ω·cm)。 | ||
| 申请公布号 | CN100521273C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200710118646.X | 申请日期 | 2007.07.11 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 潘峰;王旭波;曾飞;杨玉超 |
| 分类号 | H01L41/18(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李光松 |
| 主权项 | 1. 一种具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜，其特征在于：所述具有大压电常数和高电阻率特性的ZnO薄膜组成为：Cu为0.1～3.0at.％，Ni为0.1～3.0at.％，Zn为44.0～49.8at.％，其余为0。 | ||
| 地址 | 100084北京市100084-82信箱 | ||