| 发明名称 | 以Cu<sub>x</sub>O为存储介质的RRAM的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种以Cu<sub>x</sub>O作为存储介质的RRAM避免forming现象的制备方法，本发明方法是在按常规工艺制备以Cu<sub>x</sub>O作为存储介质的RRAM过程中，在存储介质Cu<sub>x</sub>O薄膜完成以后，将其与含有羟胺成分的稳定溶液接触，处理10～30分钟，将薄膜中的CuO成分还原成Cu<sub>2</sub>O，从而可以在器件使用前不再需要用一个高于正常操作电压的电压激活过程，即避免了forming现象。 | ||
| 申请公布号 | CN100521278C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200710039648.X | 申请日期 | 2007.04.19 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;傅秀峰;陈邦明 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆 飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种以CuxO为存储介质的RRAM的制备方法，其特征在于按双大马士革工艺进行RRAM的铜下电极的制备，然后等离子氧化形成存储介质CuxO；在存储介质CuxO薄膜制备完毕后，将该CuxO薄膜与可还原CuO的含羟胺成分的稳定溶液接触，处理10～30分钟，将薄膜中含有的CuO还原为Cu2O；然后继续按双大马士革工艺进行RRAM的上电极的制备。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||