半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明涉及具备Pd电极的半导体发光元件及其制造方法，目的在于提供一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件通过牢固地密合Pd电极和绝缘膜从而能够回避电极剥落的问题，并且通过提高Pd电极的作为低电阻欧姆电极的特性而实现激光装置的高功率化和低工作电流化。该半导体发光元件具备：半导体层；形成于该半导体层上且形成有开口部的绝缘膜；形成于该绝缘膜上的多层密合层；和以在该开口部与该半导体层接触，还与该多层密合层接触的方式形成的Pd电极，该多层密合层具有Au层作为最上层，在该Au层与该Pd电极的界面上形成有该Au层的Au与该Pd电极的Pd的合金。

主权项

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：半导体层；形成于所述半导体层上、且形成有开口部的绝缘膜；形成于所述绝缘膜上的多层密合层；以及以在所述开口部与所述半导体层接触，还与所述多层密合层接触的方式形成的Pd电极，其中，所述多层密合层具有Au层作为最上层，在所述Au层与所述Pd电极的界面上形成有所述Au层的Au和所述Pd电极的Pd的合金。