| 发明名称 | 腔内上转换激光器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种上转换激光系统，其包括至少一个半导体激光器，所述半导体激光器具有设置在第一镜(5)和第二镜(6)之间的增益结构(4)，所述第一镜(5)和所述第二镜(6)形成半导体激光器的激光腔(7)，所述系统还包括用于上转换所述半导体激光器的基本辐射的上转换激光器。本发明的上转换激光系统的特征在于，所述上转换激光器设置在半导体激光器的激光腔(7)中。所提出的上转换激光系统具有紧凑的设计。 | ||
| 申请公布号 | CN101496237A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200780015225.2 | 申请日期 | 2007.04.17 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | U·韦克曼;G·休斯勒;H·蒙克 |
| 分类号 | H01S5/06(2006.01)I;H01S5/14(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I;H04N9/31(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李静岚;谭祐祥 |
| 主权项 | 1.上转换激光系统，包括至少一个半导体激光器，所述半导体激光器具有设置在第一镜(5，16)和第二镜(6)之间的增益结构(4，17)，所述第一镜(5，16)和所述第二镜(6)形成半导体激光器的激光腔(7)，所述系统还包括用于上转换所述半导体激光器的基本辐射的上转换激光器，其特征在于，所述上转换激光器设置在半导体激光器的激光腔(7)中。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||