| 发明名称 | 静电放电防护电路 | ||
| 摘要 | 一种静电放电防护电路，其用于保护一输出电路在一静电电压产生时免于受到静电的影响，该静电放电防护电路包括：一电压源；一阻断充电单元耦接至该电压源，提供一逆偏以控制该电压源在该静电电压产生时维持零电位；一P型金属氧化物半导体耦接至该阻断充电单元；一第一N型金属氧化物半导体耦接至该P型金属氧化物半导体；一第二N型金属氧化物半导体耦接至该P型金属氧化物半导体以及该第一N型金属氧化物半导体；及一输出单元耦接至该第二N型金属氧化物半导体；其中该静电电压受到该阻断充电单元的影响，不提高该第二N型金属氧化物半导体导通的阻抗。本发明所述的静电放电防护电路，可提高静电放电防护的表现。 | ||
| 申请公布号 | CN101494376A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200810002779.5 | 申请日期 | 2008.01.21 |
| 申请人 | 普诚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄明源;张纯 |
| 分类号 | H02H9/00(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种静电放电防护电路，其特征在于，用于保护一输出电路在一静电电压产生时免于受到静电的影响，该静电放电防护电路包括：一电压源；一阻断充电单元耦接至该电压源，提供一逆偏压以控制该电压源在该静电电压产生时维持零电位；一P型金属氧化物半导体耦接至该阻断充电单元；一第一N型金属氧化物半导体耦接至该P型金属氧化物半导体；一第二N型金属氧化物半导体耦接至该P型金属氧化物半导体以及该第一N型金属氧化物半导体；及一输出单元耦接至该第二N型金属氧化物半导体；其中该静电电压受到该阻断充电单元的影响，不提高该第二N型金属氧化物半导体导通的阻抗。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县 | ||