| 发明名称 | CMOS器件金属栅极及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS器件金属栅极及其形成方法。通过本发明所提供的技术方案，通过改变金属栅极的厚度，能够使金属栅极材料在相同高介电常数栅介质上的有效功函数值发生明显变化，从而能够以简单有效的方式实现对有效功函数的调节，并进而可有效调节高k栅介质/金属栅极结构CMOS器件的阈值电压，由此得到能够满足纳米CMOS器件的阈值电压要求的高k栅介质/金属栅极结构CMOS器件。此外，利用本发明提供的技术方案，可以简化高k栅介质/金属栅极结构CMOS器件的加工流程，不仅可以减少双金属栅薄膜的沉积工艺，而且还可以克服双金属栅结构的复杂图样蚀刻问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101494236A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200910078421.5 | 申请日期 | 2009.02.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王文武;陈世杰;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 1、一种用于互补金属氧化物半导体器件的金属栅极结构，包括：界面层；高介电常数栅介质层；和金属栅极材料层，其特征在于，所述金属栅极材料层中的NMOS区域与PMOS区域具有不同的厚度。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||