| 发明名称 | 选择性蚀刻栅极隔片氧化物材料的组合物和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了从其上具有栅极隔片氧化物材料的微电子器件上至少部分去除所述材料的栅极隔片氧化物材料去除组合物和方法。所述无水去除组合物包括至少一种有机溶剂、至少一种螯合剂、碱氟化物:酸氟化物组分、和任选至少一种钝化剂。相对于多晶硅和氮化硅，所述组合物从微电子器件表面上的栅电极周围选择性除去栅极隔片氧化物材料，同时对栅电极结构中所使用的金属硅化物互连材料具有最小的蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN101496146A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200680045618.3 | 申请日期 | 2006.10.04 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 马萨·拉贾拉特纳姆;大卫·D·伯恩哈德;大卫·W·明赛克 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种栅极隔片氧化物材料去除组合物，包括至少一种有机溶剂、至少一种螯合剂、和比率为约1∶1至约10∶1的碱氟化物∶酸氟化物组分，其中所述去除组合物基本上不含水，并且其中相对于多晶硅和氮化硅两者，所述去除组合物适合从其上具有栅极隔片氧化物材料、多晶硅和氮化硅的微电子器件上选择性除去栅极隔片氧化物材料。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||