发明名称 | 包含栅极电压提升的静电放电防护电路 | ||
摘要 | 一种包含栅极电压提升的静电放电防护电路,其是用于一大尺寸开放式漏极电路的静电放电防护电路,包含:电压源,用以提供电压;第一PMOS,耦接至电压源;第一NMOS,耦接至PMOS;寄生二极管,耦接至PMOS;第二NMOS,耦接至PMOS的漏极;第一寄生电容,耦接至第二NMOS;第二寄生电容,耦接至第一寄生电容与第二NMOS;栅极电压提升电路,耦接至第二NMOS的栅极与源极;其利用一栅极电压提升电路用以提升第二N型金属氧化物半导体的栅极电压。本发明所述的包含栅极电压提升的静电放电防护电路,可解决NMOS栅极电压过低以及不正常导通而降低静电放电防护表现等问题。 | ||
申请公布号 | CN101494377A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
申请号 | CN200810004261.5 | 申请日期 | 2008.01.24 |
申请人 | 普诚科技股份有限公司 | 发明人 | 郭荣彦 |
分类号 | H02H9/00(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
主权项 | 1.一种包含栅极电压提升的静电放电防护电路,其特征在于,用于一大尺寸开放式漏极电路的静电放电防护电路,该包含栅极电压提升的静电放电防护电路包含:一电压源,用以提供一电压;一第一P型金属氧化物半导体,耦接至该电压源;一第一N型金属氧化物半导体,耦接至该P型金属氧化物半导体;一寄生二极管,耦接至该P型金属氧化物半导体;一第二N型金属氧化物半导体,耦接至该P型金属氧化物半导体的漏极;一第一寄生电容,耦接至该第二N型金属氧化物半导体;一第二寄生电容,耦接至该第一寄生电容与该第二N型金属氧化物半导体;一栅极电压提升电路,耦接至该第二N型金属氧化物半导体的栅极与源极;其中该栅极电压提升电路用以提升该第二N型金属氧化物半导体的栅极电压。 | ||
地址 | 中国台湾台北县 |