发明名称 影像感测器及其制造方法
摘要 本发明是有关于一种影像感测器及其制造方法,藉由在半导体基材上形成像素阵列与周边区环绕像素阵列的方式来制作光学影像感测器,周边区包含周边电路系统。形成内层介电层于基材上,并形成多个内连线路层于此内层介电层上。每个内连线路层包括多个内连金属特征以及一层内层介电材料覆盖在这些内连金属特征上。提供内连线路层时是以有N层内连线路层设在周边区、而有1至N-1层内连线路层设在像素阵列上的方式。形成蚀刻终止层于周边区的最上层内连金属特征上。
申请公布号 CN101494197A 申请公布日期 2009.07.29
申请号 CN200810187376.2 申请日期 2008.12.30
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 刘人诚;杨敦年;伍寿国;罗际兴;许峰嘉;喻中一
分类号 H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿 宁;张华辉
主权项 1.一种光学影像感测器的制造方法,其特征在于至少包括以下步骤:在一半导体基材上形成一像素阵列与一周边区围绕该像素阵列,该周边区包含一周边电路系统;形成一第一内层介电层于该半导体基材上;形成多个内连线路层于该第一内层介电层上,每一该些内连线路层至少包括多个内连金属特征,其中该些内连线路层中的N个层提供在该周边区上,且该些内连线路层中的1至N-1个层提供在该像素阵列上,藉此位于该周边区上方的该些内连线路层的该些N个层具有多个最上层内连金属特征;形成一上内层介电层于该些内连线路层上;形成一光阻罩幕于该上内层介电层上,其中该光阻罩幕覆盖该周边区上方的该上内层介电层,并暴露出该像素阵列上方的该上内层介电层;以及移除位于该像素阵列上方的该上内层介电层与该些内连线路层的至少一部分。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号