一种超辐射发光二极管的制作方法及其发光二极管

摘要

本发明为一种超辐射发光二极管的制作方法及其发光二极管，其有源区由多段组成，采用相同的材料组分，其中一段或几段有源区通过无杂质参与空位扩散量子阱混合效应产生发光波长偏移。超辐射发光二极管的不同有源区段采用同一电极，同时发光。但沿有源区某一出光方向，离出光端面远的有源区发光波长大于靠近端面的发光波长，沿此方向传输的光能透明地传输，因此在这一方向上的发光光谱谱宽为沿此方向的多段有源区光谱谱宽的叠加，从而达到增加发光二极管的光谱带宽的目的。同时沿与此出光端面相反方向传输的光被吸收，从而有效地降低了发光二极管的光谱调制深度。

主权项

1. 一种超辐射发光二极管的制作方法，由半导体衬底上依次外延生长多层异质结构组成，顺次包括下限制层、有源层、上限制层、盖帽层、电流注入条区以及金属电极制作，其特征是有源区沿电流注入条区分为相邻多段，在其中某一段或几段有源区表面生长不同厚度的介质膜，通过光刻并辅以快速热退火实现有源区量子阱混合效应；然后制作上电极，并制作下金属电极。