| 发明名称 | 具有可变电源的SRAM及其方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器电路(14、16、18、20)具有存储器阵列(14)，该存储器阵列(14)具有第一存储器单元排(13、66)、第二存储器单元排(15、68)、第一电源端子、第一电容结构(17、70)、耦合到第一存储器单元排(13、66)的第一电源线(35、67)、和耦合到第二存储器单元排(15、68)的第二电源线(39、69)。对于第二存储器单元排(15、68)被选择用于写入的情况，开关电路(44、52、56、94、96、98)将电源端子耦合到第一电源线(35、67)，解除第一电源端子(35、67)到第二存储器单元排(15、68)的耦合，并且将第二电源线(39、69)耦合到第一电容结构(17、71)。结果是通过与电容结构(17、70)电荷共享，降低了到选定的存储器单元排的电源电压。这在选定的存储器单元排中的单元上的写操作中提供了更多的裕量。 | ||
| 申请公布号 | CN101496107A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200780028190.6 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 欧尔加·R·卢;劳伦斯·F·蔡尔兹;克雷格·D·冈德森 |
| 分类号 | G11C5/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种存储器电路，包括：存储器阵列，包括第一存储器单元排和第二存储器单元排；第一电源端子；第一电容结构；第一电源线，耦合到所述第一存储器单元排；第二电源线，耦合到所述第二存储器单元排；以及具有晶体管的开关电路，所述晶体管在所述第二存储器单元排被选择用于写入时将所述第一电源端子耦合到所述第一电源线，解除所述第一电源端子到所述第二存储器单元排的耦合，并且将所述第二电源线耦合到所述第一电容结构。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||