一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法

摘要

本发明公开的一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法，以GaN基材料作为湿法蚀刻牺牲层并同时作为发光层材料外延生长的缓冲层，通过采用同质牺牲层(缓冲层)，制作出基于湿法蚀刻牺牲层剥离衬底的氮化镓基发光器件，同时，保持较高的发光层晶体质量。本发明的有益效果是：湿法蚀刻牺牲层(缓冲层)采用与发光层同质的材料可以保证外延生长发光层获得较高的晶体质量，从而得到较高发光效率的基于衬底剥离的发光器件。

主权项

1.一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法，包括步骤：1)以蓝宝石作为外延生长衬底，在其上依次外延生长缓冲层、湿法蚀刻停止层、发光层，其中，缓冲层为未掺杂的GaN基材料，湿法蚀刻停止层为p型GaN基材料，发光层依次至少包括n型GaN基外延层、有源层和p型GaN基外延层；2)定义发光台面区域和切割道区域，并采用于法蚀刻去除切割道区域上的p型GaN基外延层、有源层以及部分的n型GaN基外延层，暴露出n型GaN基外延层；3)在发光台面区域的p型GaN基外延层上制作一多层金属组合，多层金属组合覆盖p型GaN基外延层；4)采用光辅助电化学蚀刻去除切割道区域的n型GaN基外延层，并且使得蚀刻停止于湿法蚀刻停止层；5)制作一湿法蚀刻保护层，使其完全覆盖发光层侧壁；6)采用干法蚀刻去除切割道区域上的湿法蚀刻停止层和缓冲层；7)制作一永久性衬底，使其与发光台面区域的多层金属组合实现接合；8)采用光辅助电化学蚀刻去除发光台面区域的缓冲层，使得蓝宝石衬底和发光台面区域的外延层实现分离；9)采用干法蚀刻去除发光台面区域的湿法蚀刻停止层，暴露出n型GaN基外延层；10)制作电极，包括分别在永久性衬底上制作一正电极，在n型GaN基外延层之上制作一负电极。