| 发明名称 | 形成闪存存储器件的高电压区域的栅极氧化膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成半导体装置的高电压区域栅极氧化膜的方法，其包括：在具有高电压区域的半导体基板上形成图案，由此仅曝露高电压栅极氧化膜形成区域；在整个表面上形成金属氧化层；及执行移除所述图案的工艺，由此仅在该高电压栅极氧化膜形成区域中形成该金属氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN100521093C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200610004245.7 | 申请日期 | 2006.02.13 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金恩洙 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种形成半导体装置的高电压区域的栅极氧化膜的方法，其包含：在具有高电压区域的半导体基板上形成图案，由此仅曝露所述高电压区域的栅极氧化膜形成区域；在整个表面上形成氧化铝金属氧化层，其中氧化铝金属氧化层通过以下的步骤(a)到(d)来形成：(a)供应铝源；(b)进行第一纯化步骤；(c)供应氧反应气体以形成氧化铝反应产物；及(d)在第二纯化步骤中净化氧化铝反应产物，其中步骤(a)-(d)形成一个循环；及执行移除所述图案的工艺，由此仅在所述高电压区域的所述栅极氧化膜形成区域中留下所述氧化铝金属氧化层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||