用于半导体器件的互连结构及其形成方法

摘要

一种用于半导体器件的互连结构，包括布置在半导体衬底上的层间绝缘层。贯穿所述层间绝缘层的第一接触结构。贯穿所述层间绝缘层的第二接触结构。使第一接触结构连接到所述层间绝缘层上的第二接触结构的金属互连。所述第一接触结构包括依次层叠的第一和第二栓塞，以及所述第二接触结构包括第二栓塞。

主权项

1. 一种用于半导体器件的互连结构，包括：布置在半导体衬底上的层间绝缘层；贯穿所述层间绝缘层的第一接触结构；贯穿所述层间绝缘层的第二接触结构；以及金属互连，在所述层间绝缘层上使所述第一接触结构连接到所述第二接触结构；其中所述第一接触结构包括依次层叠的第一和第二栓塞，以及所述第二接触结构包括第二栓塞，其中所述半导体衬底包括单元阵列区、低压区以及高压区，在所述单元阵列区设置单元晶体管，所述单元阵列区包括单元杂质区和单元栅极层，在所述低压区设置低压晶体管，所述低压区包括低压杂质区和低压栅极层，在所述高压区设置高压晶体管，所述高压区包括高压杂质区和高压栅极层，并且其中所述单元杂质区被所述第一接触结构部分地连接到所述金属互连，以及所述单元栅极层、所述低压栅极层以及所述高压栅极层被所述第二接触结构连接到所述金属互连。