一种自吸气真空镀膜方法

摘要

本发明公开了一种自吸气真空镀膜方法，系在基板与蒸发源或溅射靶之间设置了一个吸气罩，正式沉积薄膜前，真空度尚达不到预设值时，预先沉积一层薄膜，然后停止沉积，继续抽真空。利用该薄膜自身的吸气作用使气压迅速降低至设定值后，再进行正式的薄膜沉积。该方法能极大地缩短抽真空的时间，减少残留气体中活性气体的成分，提高薄膜的纯度，适用于利用物理气相沉积法制备活性的金属或其合金薄膜。该方法不需要对原有的镀膜设备做任何改动，具有操作简单、普适性强等特点。

主权项

1、一种自吸气真空镀膜方法，是在处于真空室内的基板上制备金属或者合金薄膜，所用器件包括真空室、基板、蒸发源或溅射靶、基板遮蔽机构、真空泵，其特征在于，首先在基板与蒸发源或者溅射靶之间设设置了一个吸气罩，然后按照以下步骤进行操作：a、将真空室抽真空至预设值P1；b、在基板遮蔽状态下，预先沉积一层薄膜；c、停止薄膜沉积，继续抽真空至预设值P2，P2＜P1；d、使基板处于无遮蔽状态，正式在基板上沉积薄膜。