| 发明名称 | 半导体传感器以及半导体传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种廉价且高灵敏度的半导体传感器以及该半导体传感器的制造方法。其中，该半导体传感器包括：多层压电薄膜，层压在半导体基板上；一对电极，形成在所述多层压电薄膜中的至少上下一对的压电薄膜的界面上，用于激发表面弹性波；金属薄膜，形成在最下层的压电薄膜与所述最下层的压电薄膜正下面的薄膜的界面上，并且，促进最上层的压电薄膜的表面上的凸凹部的生成；以及感应膜，在所述最上层的压电薄膜上至少形成在所述凸凹部上，用于分子吸附。 | ||
| 申请公布号 | CN101493394A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200910005272.X | 申请日期 | 2009.01.22 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 泷泽照夫;近藤贵幸;轰原正义 |
| 分类号 | G01N5/02(2006.01)I;H01L41/083(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I | 主分类号 | G01N5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种半导体传感器，其特征在于，包括：多层压电薄膜，层压在半导体基板上；一对电极，形成在所述多层压电薄膜中的至少上下一对的压电薄膜的界面上，用于激发表面弹性波；金属薄膜，形成在最下层的压电薄膜与所述最下层的压电薄膜正下面的薄膜的界面上，并且，该金属薄膜促进最上层的压电薄膜的表面上的凸凹部的生成；以及感应膜，在所述最上层的压电薄膜上至少形成在所述凸凹部上，用于分子吸附。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||