用于生产键合晶片的方法

摘要

本发明涉及制备键合晶片的方法。在通过将活化层用晶片键合到支撑层用晶片然后再减薄活化层用晶片来生产键合晶片的方法中，将氧离子注入到活化层用晶片中时，该注入步骤分为在特定条件下进行的两个阶段。

主权项

1.生产键合晶片的方法，其通过将活化层用晶片键合到具有或不具有绝缘膜的支撑层用晶片上然后减薄该活化层用晶片来生产，按时间顺序包含下述步骤的组合：(1)经过至少两个阶段，包括以2×1016-5×1017原子/cm2的剂量将氧离子注入到处于不低于200℃的状态下的该活化层用晶片中的第一注入阶段和以1×1015-2×1016原子/cm2的剂量将氧离子注入到处于低于200℃的状态下的该活化层用晶片中的第二注入阶段，在该活化层用晶片中形成氧离子注入层的步骤；(2)在非氧化气氛中，在不低于1000℃的温度对该活化层用晶片进行第一热处理的步骤；(3)将该活化层用晶片键合到直接或具有绝缘膜的该支撑层用晶片上的步骤；(4)对该键合晶片进行第二热处理以增强键合强度的步骤；(5)减薄该键合晶片中的该活化层用晶片的一部分以暴露该氧离子注入层的步骤；(6)从该键合晶片中的该活化层用晶片除去该氧离子注入层的步骤；和(7)平坦化和/或减薄该键合晶片中的该活化层用晶片的该表面的步骤。