发明名称 一种自吸气真空镀膜方法
摘要 本发明公开了一种自吸气真空镀膜方法,系在正式沉积薄膜前,真空度尚达不到预设值时,预先沉积一层薄膜,然后停止沉积,继续抽真空。利用该薄膜自身的吸气作用使气压迅速降低至设定值后,再进行正式的薄膜沉积。该方法能极大地缩短抽真空的时间,减少残留气体中活性气体的成分,提高薄膜的纯度,适用于利用物理气相沉积法制备活性的金属或其合金薄膜。该方法不需要对原有的镀膜设备做任何改动,具有操作简单、普适性强等特点。
申请公布号 CN101492807A 申请公布日期 2009.07.29
申请号 CN200910058388.X 申请日期 2009.02.20
申请人 电子科技大学 发明人 杜晓松;靖红军;蒋亚东
分类号 C23C14/22(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I 主分类号 C23C14/22(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1、一种自吸气真空镀膜方法,是在处于真空室内的基板上制备金属或者合金薄膜,其特征在于,包括以下步骤:(1)将真空室抽真空至预设值P1;(2)在基板遮蔽状态下,预先沉积一层薄膜;(3)停止薄膜沉积,继续抽真空至预设值P2,P2<P1;(4)使基板处于无遮蔽状态,正式在基板上沉积薄膜。
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