首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 High voltage transistor and method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 EP1953827(A3) 申请公布日期 2009.07.29
申请号 EP20080000819 申请日期 2008.01.17
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KWON, OH-KYUM;KIM, YONG-CHAN;OH, JOON-SUK;KIM, MYUNG-HEE;PARK, HYE-YOUNG
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762;H01L29/06 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com