抗辐射压力传感器

摘要

一种抗辐射压力传感器由硅压阻式敏感组件和金属壳体组成，敏感组件由具有惠斯通电桥结构的硅敏感元件和玻璃环组成，金属壳体前端设有作为引压口的台阶孔，敏感元件的背压面环部通过玻璃环固定于台阶孔的内环面，敏感元件的受压面与金属壳体前端面齐平并导电封装，惠斯通电桥结构上应变电阻接有金丝内引线，金丝内引线另一端连接到位于金属壳体尾部的输出电缆，硅敏感元件由单晶硅衬底形成，单晶硅衬底正面依次形成二氧化硅与氮化硅复合层作为绝缘层，绝缘层上外延形成四个独立多晶硅层作为应变电阻，绝缘层周部裸露出单晶硅衬底的环边，单晶硅衬底的环边与玻璃环固定，本发明通过采用抗辐射加固的压力敏感组件和抗辐射结构，来提高抗辐射能力。

主权项

1.一种抗辐射压力传感器，由硅压阻式敏感组件(10)和金属壳体组成，其特征在于，该硅压阻式敏感组件由具有惠斯通电桥结构的硅敏感元件和玻璃环(6)组成，该金属壳体前端设有作为引压口的台阶孔，该硅敏感元件的背压面环部通过该玻璃环固定于该台阶孔的内环面，该硅敏感元件的受压面与该金属壳体前端面齐平并导电封装，该惠斯通电桥结构上的应变电阻(4)接有金丝内引线(11)，该金丝内引线另一端连接到位于该金属壳体尾部的输出电缆(15)。