制造半导体器件的方法以及用该方法制造的器件

摘要

一种制造半导体器件的方法，其包括形成沟槽(22)，并且随后选择性地蚀刻埋层(14)以形成空腔。随后将绝缘体沉积在沟槽(22)的侧壁上，但并不覆盖空腔，随后空腔被用来在空腔中形成导电区域(28)。随后可以用绝缘体(40)填充沟槽(22)，在这种情况下，导电区域(28)可以形成精确定位的掺杂区域，或者用导体来填充沟槽(22)来形成与导电区域(28)的接触。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：沉积第一半导体材料的多个层(12，50、54)，使得至少一个不同的第二半导体材料的埋层(14，52)散布在多个层(12，50、54)之间；形成沟槽(22，60、62)，所述沟槽至少通过多个层(12，50、54)的一些，包括至少通过一个埋层(14，52)；选择性地对第二半导体材料的埋层(14，52)的一部分进行蚀刻，以在沟槽(22，60、62)穿过埋层(14)的地方形成空腔(24，64)；在沟槽(22，60、62)的侧壁上沉积绝缘体(26，66)，使得空腔(24，64)暴露出来；以及在空腔(24，64)处形成导电区域(28，65)。