| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供功率半导体元件的芯片尺寸并非由铝导线直径尺寸决定的半导体装置。本发明中，IGBT(1)的发射极上第一和第二连接电极彼此相对地分离并形成，在二极管(2)的阳电极上也彼此相对地分离并形成第一和第二连接电极。从引出电极(4)的一方侧面部(4SP1)向内侧弯曲形成第一电极布线部(5A)，从另一方侧面部(4SP2)与第一电极布线部(5A)相对地分离并形成第二电极布线部(5B)。在与(IGBT1)相对的位置上的第一和第二电极布线部(5A、5B)分别仅与第一和第二连接电极焊接，同样，在与二极管(2)相对的位置上的第一和第二电极布线部(5A、5B)也分别仅与第一和第二连接电极焊接。 | ||
| 申请公布号 | CN100521192C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200610059558.2 | 申请日期 | 2006.03.02 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 高桥英树 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨 凯;刘宗杰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于包括：设有分别形成于表面及背面上的第一和第二主电极的功率半导体元件；与所述功率半导体元件的所述第二主电极电连接的金属片；在所述第一主电极上彼此相对地分离形成的第一和第二连接电极；以及引出电极，具备从其一方侧面部朝下方形成的第一电极布线部和从与所述一方侧面部相对的另一方侧面部朝下方、与所述第一电极布线部相对地与所述第一电极布线部分离并形成的第二电极布线部，所述第一电极布线部仅与所述第一连接电极电连接，所述第二电极布线部仅与所述第二连接电极电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||