| 发明名称 | 制备抛光的半导体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备半导体晶片的方法，将所述半导体晶片从晶体切割，并对其实施从所述半导体晶片的正面和背面去除材料的一系列加工步骤，其包括以下加工步骤：机械加工步骤，蚀刻步骤，其中将所述半导体晶片氧化，并且借助于含有氢氟酸的气体蚀刻剂，在20～70℃的温度下从所述晶片的正面去除材料，以及抛光所述半导体晶片正面的抛光步骤，其中从所述半导体晶片正面抛光的加工步骤导致量总计不多于5微米的材料去除。 | ||
| 申请公布号 | CN100521096C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200710102176.8 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 马克西米利安·施塔德勒;京特·施瓦布;迭戈·费若;卡尔海因茨·朗斯多夫 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 程大军 |
| 主权项 | 1. 一种制备半导体晶片的方法，将所述半导体晶片从晶体切割，并对所述半导体晶片实施从所述半导体晶片的正面和背面去除材料的一系列加工步骤，其包括以下加工步骤：机械加工步骤，气相蚀刻步骤，其中将所述半导体晶片氧化，并且借助于含有氢氟酸的气体蚀刻剂，在20～70℃的温度下从所述半导体晶片的正面去除0.1～4微米的材料，和半导体晶片正面的抛光步骤，其中抛光所述半导体晶片正面的加工步骤导致去除材料的量总计不多于5微米，并且其中除所述机械加工步骤外，加工所述半导体晶片正面的步骤导致从所述半导体晶片正面去除材料的量总计不多于25微米。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||