| 发明名称 | 应变沟道鳍片场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构，包括鳍片(205)和形成于该鳍片上的层(305)。该鳍片(205)包括具有矩形横剖面和许多表面的第一结晶材料。该层(305)形成于该等表面上并包括第二结晶材料。该第一结晶材料较的该第二结晶材料具有不同的晶格常数，以令该层(305)内产生张力应变。 | ||
| 申请公布号 | CN100521230C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200480002593.X | 申请日期 | 2004.01.15 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | S·达克什纳摩西;J·X·安;Z·克瑞沃卡皮奇;汪海宏;俞斌 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，包括：鳍片(205)，包括第一结晶体材料和多个表面，其中该鳍片(205)具有宽度从10纳米至15纳米，且其中该第一结晶体材料包括硅锗；以及第一层(305)，形成于该多个表面的至少一部分上，该第一层(305)包括第二结晶体材料，其中该第二结晶体材料包含硅，且其中该第一结晶体材料具有与该第二结晶体材料不同的晶格常数，以于该第一层内产生张力应变。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||