半导体器件

摘要

本发明提供一种非绝缘DC-DC转换器，该转换器具有用于高端开关的功率MOSFET和用于低端开关的功率MOSFET。在该非绝缘DC-DC转换器中，用于高端开关的功率MOSFET、用于低端开关的功率MOSFET、分别控制这些功率MOSFET的操作的驱动电路、和与用于低端开关的功率MOSFET并联连接的肖特基势垒二极管，分别形成在不同的半导体芯片中。这四个半导体芯片存储在一个管壳中。这些半导体芯片安装在同一芯片焊盘上方。布置这些半导体芯片使得它们彼此接近。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：第一芯片安装部分、第二芯片安装部分和第三芯片安装部分，分别间隔一定距离布置；多个外部端子，布置在所述第一、第二和第三芯片安装部分的周围；第一半导体芯片，布置在所述第一芯片安装部分的上方，并具有第一场效应晶体管；第二半导体芯片，布置在所述第二芯片安装部分的上方，并具有第二场效应晶体管；第三半导体芯片，布置在所述第三芯片安装部分的上方，并包含控制电路，该控制电路控制所述第一和第二场效应晶体管的操作；第四半导体芯片，布置在所述第二芯片安装部分的上方，并具有第一肖特基势垒二极管；和密封体，密封所述第一、第二、第三和第四半导体芯片，所述第一、第二和第三芯片安装部分以及所述多个外部端子的一些，其中，所述多个外部端子包含第一电源端子，供给输入电源电位；第二电源端子，供给比所述输入电源电位低的电位；信号端子，控制所述第三半导体芯片的所述控制电路；和输出端子，将输出电源电位输出到外部，其中，所述第一场效应晶体管具有串联连接在所述第一电源端子和所述输出端子之间的源极-漏极通道；其中，所述第二场效应晶体管具有串联连接在所述输出端子和所述第二电源端子之间的源极-漏极通道，其中，所述第三半导体芯片的所述控制电路，按照输入到所述信号端子的控制信号，控制所述第一和第二场效应晶体管的相应操作，其中，所述第三半导体芯片以这样一种方式布置，即设定所述第三半导体芯片与所述第一半导体芯片之间的距离短于所述第三半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的距离，以及其中，所述第四半导体芯片的所述第一肖特基势垒二极管，具有电连接到所述输出端子的阴极和电连接到所述第二电源端子的阳极，并且电连接所述第一肖特基势垒二极管，使得它与所述第二场效应晶体管并联。