发明名称 薄膜制造装置以及制造方法
摘要 提供一种可在生产性、批量生产性上优异的薄膜制造装置以及制造方法,该薄膜制造装置再现了良好的膜厚分布、组成分布、成膜速率,同时可长期稳定地进行粒子数少的连续成膜。薄膜制造装置是从作为反应空间的反应室上部通过喷头将成膜气体导入到反应室内,在加热基板上成膜的CVD装置,上部的反应空间是由不旋转或升降的基板台和喷头及防粘板构成的,由防粘板和基板台构成的同心圆的间隙是作为气体排气路径而设置的,使惰性气体从该气体排气路径的上方沿防粘板流动地构成,于是,在气体排气路径的2次侧设置下部空间。
申请公布号 CN100519834C 申请公布日期 2009.07.29
申请号 CN200410056311.6 申请日期 2004.08.06
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 山田贵一;增田健;梶沼雅彦;西冈浩;植松正纪;邹红罡
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陈 伟
主权项 1. 一种薄膜制造装置,是从反应室上部通过喷头将成膜气体导入到反应室内,在由基板台加热的基板上,通过化学反应成膜的CVD装置,该反应室上部为可以真空控制的真空槽的反应空间,其特征在于,上部的反应空间由基板台、喷头和防粘板构成,由该防粘板和基板台构成的同心圆的间隙是作为气体排气路径而设置的,使惰性气体从该气体排气路径的上方沿防粘板流动地构成,而且,在气体排气路径的2次侧设置下部空间,上述防粘板具有可自由升降的机构,该可自由升降的机构在运送基板时下降,可以运送基板,在成膜时上升,可以构成反应空间。
地址 日本神奈川