高线性度CMOS模拟开关

摘要

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种具有高线性度的新型模拟开关。它由3个分压电阻、1个运算放大器、1个复制采样开关、1个采样开关、1个升压电路组成。由运算放大器和复制采样开关形成负反馈电路，为复制采样开关复制出与采样开关相同的阈值电压。将复制采样开关的栅电压经过升压电路后，作为采样开关的控制信号，以消除采样开关导通电阻随输入信号和阈值电压的变化，从而大大提高了采样开关的线性度。

主权项

1. 一种CMOS模拟开关，其特征在于由第一分压电阻(20)、第二分压电阻(21)、第三分压电阻(22)、电压提升电路、运算放大器(29)、复制采样开关(30)和采样开关(31)经电路连接构成；其中第二分压电阻(21)、第三分压电阻(22)具有相同的阻值，且大于第一分压电阻(20)的阻值，复制采样开关(30)和采样开关(31)具有相同的尺寸；第一分压电阻(20)、第二分压电阻(21)形成从输入信号端到地之间的分压，分压输出连接到运算放大器(29)的正输入端；复制采样管(30)漏端连接到输入信号端，栅端连接到运算放大器(29)的输出端，源端连接到运算放大器(29)的负输入端，第三分压电阻(22)的一端连接到复制采样开关(30)的源端，另一端连接到地；电压提升电路为常规电路，由时钟ΦS控制的第一开关(23)、第二开关(27)，反向时钟ΦP控制的第三开关(24)、第四开关(26)、第五开关(28)和电容(25)经电路连接组成，电压提升电路的第一输入端(Vin)连接到运算放大器(29)的输出端，电压提升电路的第二输入端(Vg)连接到采样开关(31)的栅端；采样开关(31)的漏端连接到第一输入信号端(Vin)，源端连接到采样输出端。