闪存装置制造方法

摘要

一种闪存装置的制造方法，包括蚀刻层叠于半导体衬底上的部分隧穿氧化物层、第一多晶硅层、硬掩模层和半导体衬底，由此形成沟槽。使用绝缘层填充该沟槽，由此形成隔离层。清除该隔离层的部分顶面，由此控制该隔离层的有效场高度(EFH)，同时部分地暴露该第一多晶硅层的侧部。使用二氯硅烷(DCS)为源气体，在包括该暴露的第一多晶硅层的各个隔离层的表面上形成用于间隙壁的氧化物层。执行蚀刻工艺，使得氧化物层仅保留在该第一多晶硅层的侧部上，由此形成间隙壁。将间隙壁之间的隔离层蚀刻至一厚度。除去该间隙壁。随后在各个隔离层的表面上形成介电层和第二多晶硅层。

主权项

1. 一种闪存装置制造方法，包括：蚀刻半导体衬底和层叠于所述半导体衬底上的部分隧穿氧化物层、第一多晶硅层和硬掩模层，其中所述蚀刻形成沟槽；使用绝缘层填充所述沟槽，由此形成隔离层；清除所述隔离层的部分顶面，由此控制所述隔离层的有效场高度，同时部分地暴露所述第一多晶硅层的侧部；使用二氯硅烷为源气体，在包括所述暴露的第一多晶硅层的各个隔离层的表面上形成用于间隙壁的氧化物层；执行蚀刻工艺，使得所述氧化物层保留在所述第一多晶硅层的侧部上，由此形成间隙壁；将所述间隙壁之间的隔离层蚀刻至一厚度；清除所述间隙壁；以及在各个隔离层的表面上形成介电层和第二多晶硅层。