具有单多晶结构的闪存器件及其制造方法

摘要

这里公开的是一种具有单多晶结构的闪存器件及其制造方法。该方法包括：在具有P阱区或N阱区的半导体衬底上形成氧化物层；在半导体衬底和氧化物层中形成浅沟槽隔离(STI)；通过将掺杂剂注入到P阱区或N阱区的一部分中形成漂移区；随后在阱区、漂移区和STI之上形成栅极氧化物层和多晶硅层；通过对栅极氧化物层和多晶硅层构图而形成控制栅极图形；在控制栅极图形的对侧形成源极区和漏极区；在控制栅极图形上沉积氮化硅层并蚀刻该氮化硅层以在控制栅极图形的侧壁周围形成间隔子；在控制栅极图形上形成多个绝缘层，并形成分别与源极区和漏极区电连接的通孔图形；配备分别与通孔图形电连接的漏极和源极。

主权项

1. 一种用于制造具有单多晶结构的闪存器件的方法，包括：在具有P阱区或N阱区的半导体衬底上形成氧化物层；在半导体衬底和氧化物层中形成浅沟槽隔离；通过将掺杂剂注入到P阱区或N阱区的一部分中形成漂移区；随后在所述阱区、所述漂移区和所述浅沟槽隔离之上形成栅极氧化物层和多晶硅层；通过对所述栅极氧化物层和所述多晶硅层构图形成控制栅极图形，其中所述控制栅极图形和所述漂移区具有重叠区域；在所述控制栅极图形的对侧形成源极区和漏极区，其中使用与所述漂移区相同导电类型的掺杂剂形成所述漏极区，并且所述漂移区具有与所述源极区不对称的结构；在所述控制栅极图形上沉积氮化硅层并蚀刻所述氮化硅层以在所述控制栅极图形的侧壁周围形成间隔子；在所述控制栅极图形上形成多个绝缘层，并形成分别与所述源极区和所述漏极区电连接的通孔图形；以及配备分别与所述通孔图形电连接的漏极和源极。