中心环绕形GaN基LED芯片电极

摘要

本实用新型涉及一种中心环绕形GaN基LED芯片电极，属于LED芯片技术领域，N型电极的N型焊盘设置在芯片中心，自N型焊盘的N型条形电极沿对角线至顶角后分别沿芯片边缘延伸靠近至P型焊盘，P型电极的P型焊盘设置在芯片N型焊盘沿对角线的N型条形电极的反向顶角部，自P型焊盘的两条P型条形电极与N型焊盘及沿对角线的N型条形电极平行，本实用新型结合了环形电极和条形电极的优点，并充分利用N型焊盘四周，P型和N型电极相互交叉平行排列，相互环绕，不仅缩短电流的传输距离，且不同电极之间距离相等，增加了电流分布的均匀性，提高了载流子的复合效率，增加了光的提取，减少了转化为内部热能的损耗，提高了芯片的出光效率，改善了芯片的光电特性。

主权项

1、一种中心环绕形GaN基LED芯片电极，包括P型电极和N型电极，对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN表面生长一层导电薄膜，再在导电薄膜上淀积P型电极，或者直接在P型GaN表面淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，其特征是，N型电极的N型焊盘设置在芯片中心，自N型焊盘的N型条形电极沿对角线至顶角后分别沿芯片边缘延伸靠近至P型焊盘，P型电极的P型焊盘设置在芯片N型焊盘沿对角线的N型条形电极的反向顶角部，自P型焊盘的两条P型条形电极与N型焊盘及沿对角线的N型条形电极平行。