Thermally annealed silicon wafers having improved intrinsic gettering,申请号EP20050024867-传众专利搜索

发明名称	Thermally annealed silicon wafers having improved intrinsic gettering
摘要
申请公布号	EP1624482(B1)	申请公布日期	2009.07.29
申请号	EP20050024867	申请日期	1999.08.27
申请人	MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.	发明人	FALSTER, ROBERT J.
分类号	H01L21/322	主分类号	H01L21/322
代理机构		代理人
主权项
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