氮化镓基发光二极管

摘要

本发明公开的氮化镓基发光二极管，包括蓝宝石衬底、缓冲层、n型GaN基外延层、有源层、p型GaN基外延层、黏附层、ITO层、p电极和n电极，其中，最底层为蓝宝石衬底；缓冲层形成于蓝宝石衬底之上；n型GaN基外延层形成于缓冲层之上；有源层形成于n型GaN基外延层之上，其材料为氮化铟镓；p型GaN基外延层形成于有源层之上；铟镓氧化物层为黏附层形成于p型GaN基外延层之上，p电极形成于ITO层之上，n电极形成于n型GaN基外延层之上。通过在ITO与p型GaN基外延层之间引入铟镓氧化物层，以解决ITO与p型GaN基外延层黏附性差的问题，提高氮化镓基发光二极管的可靠性。

主权项

1.氮化镓基发光二极管，包括：一蓝宝石衬底；一缓冲层形成于蓝宝石衬底之上；一n型GaN基外延层形成于缓冲层之上；一有源层，其材料为氮化铟镓，形成于n型GaN基外延层之上；一p型GaN基外延层形成于有源层之上；一黏附层，其材料为铟镓氧化物的混合物，该混合物形成于p型GaN基外延层之上；一铟锡氧化物ITO层形成于黏附层之上；一p电极，其材料包含Al或者Au，形成于ITO层之上；一n电极，其材料包含Al或者Au，形成于n型GaN基外延层之上。