一种选择性发射极太阳电池制造过程中的重扩散和轻扩散工艺

摘要

本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制造过程中的重扩散和轻扩散工艺，重扩散工艺应用在电极栅线下及其附近，轻扩散工艺应用在非电极栅线区域，通过改变两步扩散工艺的温度，气流量和工艺时间使得在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区，在非电极栅线区域形成低掺杂浅扩散区。本发明解决了传统一步扩散工艺无法同时降低硅片表面接触电阻和减少死层的问题，对晶体硅太阳能电池整体性能的提高有着重要的作用。

主权项

1.一种选择性发射极太阳电池制造过程中的重扩散和轻扩散工艺，其特征在于，重扩散工艺应用在电极栅线下及其附近，使这些区域形成高掺杂深扩散区；轻扩散工艺应用在非电极栅线区域，使这些区域形成低掺杂浅扩散区；所述的重扩散工艺和轻扩散工艺均包括以下步骤：(1)进舟：把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中；(2)温度稳定：使得扩散炉管内的温度完全稳定；(3)扩散/再分布：把三氯氧磷通过小流量的氮气带入扩散炉管进行扩散；(4)退舟：把装载扩散后的硅片的石英舟从扩散炉管中退出。