| 发明名称 | 双层光刻胶干法显影的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH<sub>3</sub>/O<sub>2</sub>、N<sub>2</sub>/H<sub>2</sub>/O<sub>2</sub>、N<sub>2</sub>/H<sub>2</sub>/CO、NH<sub>3</sub>/CO或NH<sub>3</sub>/CO/O<sub>2</sub>基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。 | ||
| 申请公布号 | CN100521088C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200380100597.7 | 申请日期 | 2003.12.12 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 五十岚义树;稻泽刚一郎;樋口公博;V·巴拉苏布拉马尼雅姆;西村荣一;R·金;P·桑索内;萩原正明 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;G03F7/09(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1. 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的有机抗反射涂层的方法，该方法包括：引入处理气体，所述处理气体包括一种或多种共同含有N2、H2、O2和C0的气体；在所述等离子体处理体系内由该处理气体形成等离子体；和将具有所述有机抗反射涂层的所述基片暴露于所述等离子体，以蚀刻所述有机抗反射涂层，同时基本上防止在所述基片上的残渣形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||