二氧化铈粉末、制备该粉末的方法以及包含该粉末的CMP浆料

摘要

本发明公开了一种用于CMP磨料的二氧化铈粉末，该粉末可以在半导体制造工艺中化学机械抛光期间改善二氧化硅层对氮化硅层的抛光选择性和/或晶片内不均匀性(WIWNU)。更具体而言，所述二氧化铈粉末通过使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体而制得。同样，本发明公开了包含用二氧化铈粉末作为磨料的CMP浆料以及使用该CMP浆料作为抛光浆料的用于半导体器件的浅沟槽隔离方法。

主权项

1、一种制备二氧化铈粉末的方法，该方法使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体。