一种在COB-DRAM制造中提高SAC刻蚀制程容许度的方法

摘要

本发明涉及提高自对准接触(SAC)刻蚀容许度的COB-DARM的制作方法。该方法通过氮化硅间隔层形成以后，在该间隔层上形成一多晶硅保护层，使其在SAC刻蚀中保护氮化硅间隔层，减少肩部氮化硅的损失，因而提高SAC刻蚀的制程容许度，避免了完成后续制程后常出现的SAC孔中的导体与位线间的桥接问题。

主权项

1. 一种COB-DRAM制造中提高SAC刻蚀容许度的方法，包括如下步骤：a)形成COB结构的位线以及其间隔层以后，在淀积内层电介质层(ILD)之前，淀积一多晶硅层以覆盖和保护所述间隔层；以回蚀，去除存在于位线顶部与位线及位线之间底部的多晶硅，此时多晶硅只覆盖于间隔层；在硅片上覆盖第一光刻胶层，光刻、显影形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶只覆盖欲形成SAC接触孔的区域；b)刻蚀掉没有光刻胶保护区域的多晶硅，去除光刻胶、清洗，此时多晶硅只覆盖于欲形成SAC接触孔区域的氮化硅间隔层的二侧；c)淀积内层电介质层(ILD)；d)覆盖第二光刻胶层，光刻、显影定义SAC接触孔图案；e)刻蚀所述内层电介质层(ILD)，形成所述SAC接触孔，去除光刻胶；f)清洗；g)进行淀积导体材料和其他后续制程。