发明名称 |
dispositivos de contato embutidos para filmes baseados em nitreto e produção dos mesmos |
摘要 |
<p>DISPOSITIVOS DE CONTATO EMBUTIDOS PARA FILMES BASEADOS EM NITRETO E PRODUçãO DOS MESMOS. A presente invenção refere-se a dispositivo semicondutor, que compreende: um substrato; um primeiro contato; uma primeira camada de material semicondutor dopado, depositada sobre o substrato; uma região de junção semicondutora, depositada sobre a primeira camada; uma segunda camada de material semicondutor dopado, depositada sobre a região de junção, sendo que a segunda camada tem uma polaridade de dopagem semicondutora oposta à da primeira camada; e um segundo contato; sendo que o segundo contato está em comunicação elétrica com a segunda camada e o primeiro contato está embutido dentro do dispositivo semicondutor entre o substrato e a região de junção e está em comunicação elétrica com a primeira camada; e processos para produção de um dispositivo semicondutor de contato embutido.</p> |
申请公布号 |
BRPI0805314(A2) |
申请公布日期 |
2009.07.28 |
申请号 |
BR2008PI05314 |
申请日期 |
2008.07.21 |
申请人 |
GALLIUM ENTERPRISES PTY LTD |
发明人 |
KENNETH SCOTT ALEXANDER BUTCHER;MARIE-PIERRE FRANCOISE WINTREBERT EP FOUQUET;ALANNA JULIA JUNE FERNANDES |
分类号 |
H01L27/00;H01L21/70;H01L33/38 |
主分类号 |
H01L27/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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