UN METODO BASADO EN OXIDO DE FABRICACION DE PELICULAS DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS RELACIONADOS.

摘要

Un método para formar una película compuesta (29) del Grupo IB-IIIA-VIA o del Grupo IIB-IVA-Va, que comprende los pasos de: (a) preparar una material fuente (23) que incluye partículas que contienen al menos un elemento del Grupo IB y al menos un elemento del Grupo IIIA en forma de óxido, para dicha película compuesta del Grupo IB-IIIA-VIA, o al menos un elemento del Grupo IIB y al menos un elemento del Grupo IVA en forma de óxido, para dicha película compuesta del Grupo IIB-IVA-VA; (b) depositar dicho material fuente sobre una base y formar una película preparatoria (25) a partir de dicho material fuente (23); (c) calentar dicha película preparatoria (25) en una atmósfera adecuada que proporciona la reducción de óxido para formar una película precursora (27) que incluye no-óxidos de elementos del Grupo IB y IIIA para dicha película compuesta del Grupo IB-IIIA-VIA o elementos no óxidos del Grupo IIB e IVA para dicha película compuesta del Grupo IIB-IVA-VA, donde dicha atmósfera adecuada no contiene esencialmente ninguno de los elementos del Grupo VIA para dicha película compuesta del Grupo IB-IIIA-VIA y ninguno de los elementos del Grupo VA para dicha película compuesta del Grupo IIB-IVA-VA; y (d) tras la formación de dicha película precursora (27), proporcionar el material adecuado para dicha película precursora (27) para formar una película (29) que incluye un compuesto seleccionado entre un compuesto del Grupo IB- IIIA-VIA o un compuesto del Grupo IIB-IVA-VA, donde para dicho compuesto del Grupo IB-IIIA-VIA se proporciona una fuente del Grupo VIA, y para dicho compuesto del Grupo IIB-IVA-VA se proporciona una fuente del Grupo VA, a partir de una atmósfera gaseosa con calentamiento o por deposición con calentamiento.