发明名称 |
METHODE D'OBTENTION D'UN MATERIAU STRUCTURE D'OUVERTURES TRAVERSANTES, EN PARTICULIER DE NITRURES DE SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE III STRUCTURES SELON DES MOTIFS DE CRISTAUX PHOTONIQUES |
摘要 |
La présente invention concerne un procédé d'obtention d'une plaque ou d'une membrane de très faibles dimensions formant un cristal photonique. Un tel élément est structuré selon un motif déterminé d'ouvertures traversantes d'une dimension transversale micrométrique ou inférieure. L'invention concerne aussi des composants incluant un tel cristal, ainsi qu'un système de fabrication d'un tel cristal ou composant.Le procédé selon l'invention permet l'obtention d'une plaque ou membrane dite photonique (20, 306, 406, 506) structurée selon un motif déterminé et comprends les étapes suivantes :- structuration (320 à 322) de la surface d'un substrat (300) par une gravure selon ledit motif ;- dépôt d'au moins une couche du matériau photonique formant la plaque ou membrane, par croissance épitaxiale anisotrope (324, 424, 524) sur la surface structurée dudit substrat.
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申请公布号 |
FR2926675(A1) |
申请公布日期 |
2009.07.24 |
申请号 |
FR20080050335 |
申请日期 |
2008.01.18 |
申请人 |
UNIVERSITE PARIS SUD ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE SCIENTIFIQUE, CULTUREL ET PROFESSIONNEL;CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S.) |
发明人 |
DAVID SYLVAIN;BOUCAUD PHILIPPE;SEMOND FABRICE |
分类号 |
H01L29/24;G02B6/12;G02B6/122 |
主分类号 |
H01L29/24 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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