PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES DE MATERIAU EPITAXIE

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication de matériaux par épitaxie comprenant une étape de croissance épitaxiale d'au moins une couche (15) d'un matériau sur une structure composite (14). La structure composite comprend au moins un film mince (4) collé sur un substrat support (10), une couche de collage (25) étant formée par dépôt entre le substrat support (10) et le film mince (4), le film mince (4) et le substrat support (10) présentant un coefficient moyen de dilatation thermique supérieur ou égale à 7.10<-6> K<-1>.La couche d'oxyde de collage (25) est formée par dépôt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD) d'une couche d'oxyde de silicium sur la face de collage du substrat support (10) et/ou sur la face de collage du film mince (4). Le film mince (4) présente une épaisseur inférieure ou égale à l'épaisseur de la couche d'oxyde. Le procédé comprend en outre un traitement thermique réalisé à une température supérieure à la température de dépôt de la couche d'oxyde de silicium et pendant une durée déterminée.