| 摘要 |
Ein Schichtbauelement-Herstellungsverfahren zum Herstellen eines Schichtbauelements unter Verwendung eines mit einem ringförmigen verstärkten Abschnitt ausgebildeten verstärkten Wafers beinhaltet einen Waferschichtungsschritt, bei dem eine hintere Oberfläche des verstärkten Wafers, die dem Bauelementbereich entspricht, der vorderen Oberfläche eines unten liegenden Wafers gegenübergesetzt und mit dieser verbunden wird, wobei entsprechende Straßen bündig zueinander ausgerichtet sind, wodurch ein Schichtwafer ausgebildet wird; einen Elektrodenverbindungsschritt, bei dem ein Durchgangsloch an einer Stelle ausgebildet wird, an der bei jedem der Bauelemente des verstärkten Wafers, der einen Teil des Schichtwafers bildet, eine Elektrode ausgebildet ist, so dass eine bei jedem der Bauelemente des unten liegenden Wafers ausgebildete entsprechende Elektrode erreicht wird, und das Durchgangsloch mit einem leitfähigen Material gefüllt wird, um die Elektroden zu verbinden; und einen Trennungsschritt, bei dem der Schichtwafer, nachdem der Elektrodenverbindungsschritt durchgeführt wurde, entlang der Straßen geschnitten und in einzelne Schichtbauelemente getrennt wird. |
