| 摘要 |
本发明揭示一种光接收元件，其包括：一第一导电型半导体区，其经组态为在一元件形成表面上形成；一第二导电型半导体区，其经组态为在该元件形成表面上形成；一中间半导体区，其经组态为在该第一导电型半导体区及该第二导电型半导体区之间之该元件形成表面上形成，且具有低于该第一导电型半导体区及该第二导电型半导体区之杂质浓度的一杂质浓度。该光接收元件进一步包括：一第一电极，其经组态为电连接至该第一导电型半导体区；一第二电极，其经组态为电连接至该第二导电型半导体区；及一控制电极，其经组态为形成在一存在于该元件形成表面上之对向区域中。 |
