高效能金氧半场效电晶体

摘要

提供一种显现高装置效能及改善短通道效应之半导体结构。尤其是本发明提供一种金氧半场效电晶体(MOSFET)，其包含低掺杂质浓度于结构的反转层，反转层为形成于半导体基板部份顶上之磊晶半导体层。本发明结构亦包含第一导电型之井区于反转层之下，其中井区具有部份以及两个水平邻接的端部。部份具有比两个水平邻接的端部还高的第一导电型掺杂质浓度，这样的井区可称为非一致超陡峭逆行井。