发明名称 于线导体及通孔导体具不同材料之双镶嵌(DUAL DAMASCENE)互连结构
摘要 本发明揭示了用以形成双镶嵌后段制程(BEOL)互连结构之方法,该等互连结构对于通孔或嵌柱使用与用于线导体之材料不同的材料,或对于通孔衬垫使用与用于渠沟衬垫之材料不同的材料,或具有与渠沟衬垫之厚度不同的厚度。较佳地,在通孔中使用厚的耐熔金属以改良机械强度,而在渠沟中仅使用薄的耐熔金属以提供低电阻。
申请公布号 TW200931593 申请公布日期 2009.07.16
申请号 TW098105172 申请日期 2004.06.18
申请人 万国商业机器公司 发明人 盖比诺 杰佛瑞;可尼 三世 爱德华;史塔帕 安东尼;姆斯提夫 威廉 汤玛斯;蓝 麦克;西蒙 安德鲁
分类号 H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国