半导体装置之制造方法

摘要

首先，在半导体基板1上形成含铜之布线5w((A)步骤)。在布线5w上形成蚀刻停止膜6es((B)步骤)。在蚀刻停止膜6es上形成绝缘层6((C)步骤)。在绝缘层6形成到达蚀刻停止膜6es之通孔6v((D)步骤)。利用有机溶剂C洗净通孔6v及绝缘层6之表面((E)步骤)。以使布线5w露出之方式，除去蚀刻停止膜6es((F)步骤)。更形成电连接到所露出之布线5w的布线6w((G)步骤)。利用此种方式，可获得一种包含有可抑制含铜布线腐蚀之洗净步骤的半导体装置之制造方法。