发明名称 Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Ein Halbleiterbauelement enthält eine Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht auf einem Substrat, einen Kontaktzapfen in der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht, eine Metallschicht auf dem Kontaktzapfen und eine nicht reine Antireflexions-Beschichtungs(ARC)-Schicht auf der Metallschicht.
申请公布号 DE102008063982(A1) 申请公布日期 2009.07.16
申请号 DE20081063982 申请日期 2008.12.19
申请人 DONGBU HITEK CO. LTD. 发明人 SEOK, JANG HYEON
分类号 H01L23/532;H01L21/443;H01L23/498;H01L23/552 主分类号 H01L23/532
代理机构 代理人
主权项
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