固体记忆体

摘要

先前，PRAM之资料之记录/抹除，系根据作为其记录材料之含Te之硫族化合物之结晶状态与非晶质状态之一次相变态所产生之物理特性变化而进行。然而，由于记录薄膜非由单结晶，而系由多结晶构成，故电阻值存在不均一，因相转移时产生之体积变化而使记录读取次数存有限制。本发明系以超晶格结构作成含Sb之薄膜与含Te之薄膜，以解决上述问题，且使反覆记录抹除次数为10#sP!15#eP!次。