发明名称 处理铜可靠度的多物种植入
摘要 将第一物种和第二物种植入到基板的导体如铜中。第一物种和第二物种可以依序地或者至少部分地同时进行植入。第二物种可阻止第一物种在导体中的扩散。在一个具体的实例中,第一物种是矽而第二物种是氮,但是也可以是其他的组合。
申请公布号 TW200931535 申请公布日期 2009.07.16
申请号 TW097142379 申请日期 2008.11.03
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 尹赫云;帕帕守尔艾迪斯 乔治D;辛 维克拉姆
分类号 H01L21/3215(2006.01);H01L21/265(2006.01) 主分类号 H01L21/3215(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 美国