半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体装置的制造方法，该方法防止杂质进入SOI基板，激发包括从氢气、氦气、或卤素气体中选择的一种或多种气体的源气体以产生离子，并且将这些离子添加到接合基板，由此在接合基板中形成了形成了易碎层。然后，透过蚀刻、抛光等，除去接合基板的表面上和其附近的区域，即从比易碎层浅的位置到其表面这一区域。接下来，在将接合基板黏贴到底部基板之后，在易碎层处分离接合基板，由此，在底部基板上形成半导体膜。在底部基板上形成半导体膜之后，利用该半导体膜形成半导体元件。