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发明名称
加热基板制造半导体装置之制造装置及制造方法
摘要
本发明提供一种可使基板(1)之温度分布均一化的半导体装置之制造装置及制造方法。该半导体装置之制造装置包含有:保持基板(1)之基座(2);设置于基座(2)之背面侧之加热器;位于基板(1)与基座(2)之间且具有支持部(12)的支持构件(11);以及位于基座(2)与支持构件(11)之间的间隔片(14)。于间隔片(14),在支持构件(11)之形成有支持部(12)之位置之相反面侧,系形成有开口部(15)。
申请公布号
TW200931586
申请公布日期
2009.07.16
申请号
TW097132592
申请日期
2008.08.26
申请人
住友电气工业股份有限公司
发明人
上野昌纪;上田登志雄;渡边容子
分类号
H01L21/683(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L21/683(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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